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美光宣布世界首次量产相变内存美光科技今日在位于美国爱达荷州的总部宣布，该公司已经开始量产面向移动设备领域的相变内存(Phase Change Memory，简称PCM)。 美光科技今日在位于美国爱达荷州的总部宣布，该公司已经开始量产面向移动设备领域的相变内存(Phase Change Memory，简称PCM)。 目前量产的产品使用45nm制程工艺，规格为1个1Gbit的PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装。目前美光该45nm PCM解决方案主要面向功能型手机市场，未来计划扩展到智能手机和平板电脑领域。 作为美光最亲密的合作伙伴，Intel也表明了力挺态度。Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的最先端，在美光的PCM技术上看到了广阔的前景和价值。 根据PCM的技术特点，使用这种存储方案的设备将拥有更短的启动时间，更低的功耗=更长的续航以及更强的耐用性。由于PCM断电后不丢失数据的特性，实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的作用。 责编：赵龙  微信扫一扫实时了解行业动态 著作权声明：畅享网文章著作权分属畅享网、网友和合作伙伴，部分非原创文章作者信息可能有所缺失，如需补充或修改请与我们联系，工作人员会在1个工作日内配合处理。 |
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