服务器新宠:DDR4市场容量将达十亿美金

来源:集微网  
2014/10/14 9:33:47
今年DDR4开始升温,逐渐取代DDR3用于企业重负荷机器和任务关键型的服务器系统。在DDR3时代,用于服务器的内存接口芯片的容量仅为50%~60%,为了提高速度加入更多存储器,DDR4时代的内存接口芯片的容量将会达到90%,两年后这一市场容量将达到10亿美金。

本文关键字: DDR4 英特尔 澜起科技
今年DDR4开始升温,逐渐取代DDR3用于企业重负荷机器和任务关键型的服务器系统。在DDR3时代,用于服务器的内存接口芯片的容量仅为50%~60%,为了提高速度加入更多存储器,DDR4时代的内存接口芯片的容量将会达到90%,两年后这一市场容量将达到10亿美金。
 
历经六年的开发时间,DDR4终于踏上征程,扬帆起航。
 
近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3,开始支持时钟频率达2133MHz的DDR4存储器,这表明在PC、服务器平台叱咤风云多年的DDR3进入世代交替的阶段。
 
其实英特尔的这个出乎意料的举动还满反常的,因为这异于其以往处理器支持新规格存储器的步调──通常先针对PC平台、再针对服务器平台。但目前英特尔仅在第三季才刚推出的高阶桌上型PC处理器当中(Core i7-5820K、i7-5930K、i7-596__0x极致版),支持DDR4,而不是等到DDR4在PC、笔电产品全面普及后,再让服务器平台开始采用。但支持DDR4的这一大特色,却大大增强了英特尔Xeon E5-2600 v3平台整体的存储器存取频宽效能和用电效率。根据英特尔的测试数据显示,在这两项评比标的上,新品皆可比前一代Xeon E5-2600系列提升50%。
 
 
“更高性能,更低功耗”是DDR4的最大特点。追溯到2010年,在日本东京举行的MemCon 2010大会上,US Modular公司工程副总裁、JEDEC董事会成员Bill Gervasi介绍说,DDR4内存的时钟频率初步设定在2133~4266MHz之间,是DDR3的两倍,数据传输速度将比DDR3快一倍。DDR4的工作电压仅1.2V,比DDR3的1.5V低了至少20%,也比DDR3L的1.35V还低,甚至还可能会有1.05V的超低压节能版,功耗更低。
 
2009年2月,三星电子确认40纳米制程的DRAM芯片已成功流片,成为DDR4发展的关键一步。2011年1月,三星电子宣布完成历史上第一款DDR4 DRAM的开发,容量为2GB,DRAM模块,采用30纳米制程工艺制造了首批样品,时钟频率为2133MHz,工作电压只有1.2V,凭借新的电路架构最高可达3200MHz,使用了漏极开路技术比同规格DDR3节能40%。2012年8月在ISSCC上,三星电子展出基于30nm CMOS工艺和3层金属配线技术制造,单颗容量为4Gbit,设定工作电压为1.2V,实际工作的电压仅为1.14V,测定传输速度为3.3Gbps(DDR4-3300)。
 
2014年4月SK Hynix(海力士)宣布成功开发出全世界第一款容量高达128GB的新一代DDR4 DRAM,2xnm工艺制造,使用了TSV立体堆叠技术。时钟频率为2133MHz,工作电压也是1.2V,面向服务器领域,可用于英特尔Xeon E5-2600 v3,预计2015年上半年投入量产。
 
2014年8月三星开始量产基于TSV 3D堆叠技术的DDR4 DRAM。据三星介绍,这是全球首款使用3D TSV DDR4 SDRAM的内存模块。已开始量产的RDIMM的容量为64GB,适用于企业级服务器及云数据中心等。这款RDIMM配备了36个DDR4 SDRAM芯片,每个芯片由4块4Gbit的DDR4 SDRAM裸片堆叠而成(每个芯片的容量为2GB),裸片之间通过TSV连接,使用20nm工艺制造。市场预料DDR4将与DDR3(DDR3L、LP-DDR3)等共存一段时间,预计到2016年将超越DDR3成为市场主流。
 
在服务器领域,可以说DDR4是极大的推进者,升级的意义远大于其他平台。因为它们对于性能的提升、功耗的降低、制程的精细、计算密度的提升和扩展性的进一步扩充,都有着更高的要求,势必带来服务器的新一轮升级换代。
 
近日澜起科技刚刚宣布其DDR4内存接口套片已成功通过英特尔公司的认证,完全支持基于英特尔Xeon E5-2600 v3系列的服务器平台。澜起科技成为亚洲第一家,国内唯一一家通过英特尔公司认证的企业。
 
澜起的DDR4内存接口套片包含DDR4寄存器(RCD)芯片和DDR4数据缓冲器(DB)芯片,可用于DDR4 寄存式双列直插内存模块(RDIMM)和低负载的寄存式双列直插内存模块(LRDIMM)。这个套片的设计完全遵循最新的JEDEC DDR4规范,采用创新的系统存架构和独特的低功耗技术,使新一代的DDR4内存系统拥有更高的数据率和更低的功耗,为发展迅猛的数据中心和云计算市场提供了高性能、高容量、低能耗的内存解决方案。
 
目前,澜起的DDR4内存接口套片已经被广泛应用到世界一流的服务器OEM厂商和DRAM厂商的DDR4 RDIMM和LRDIMM产品上,这些产品已顺利通过了基于Intel Xeon Processor E5-2600 v3服务器平台的严格验证,展现出优秀的性能和良好的兼容性。
 
今年DDR4开始升温,逐渐取代DDR3用于企业重负荷机器和任务关键型的服务器系统。据集微网了解到,在DDR3时代,用于服务器的内存接口芯片的容量仅为50%~60%,为了提高速度加入更多存储器,DDR4时代的内存接口芯片的容量将会达到90%,两年后这一市场容量将达到10亿美金。作为亚洲唯一一家通过英特尔认证的企业,澜起科技在内存接口领域的地位不容小视。服务器和存储市场每5~6年将发生一次内存技术的变革,表明DDR4的生命周期将延续至2020年。
 
2014年7月31日澜起科技与上海浦东科技投资有限公司达成每股普通股22.60美元私有化协议,交易总价值约为6.93亿美元。iSuppli半导体首席分析师顾文军表示,随着大数据和信息安全的重要性越来越被认可,澜起科技的价值会越来越大,“现在提去IOE化,如果忽略了IOE后面的芯片,只是换汤不换药”。今年一季度,内存接口芯片在澜起科技营收中的占比已经从去年全年的15%上升到25%。
 
9月26日英特尔刚刚宣布90亿元人民币入股紫光集团,顾文军表示英特尔曾投资过澜起科技,未来英特尔是否会投资私有化后的澜起科技?这一问题值得思考。
责编:李玉琴
vsharing微信扫一扫实时了解行业动态
portalart微信扫一扫分享本文给好友

著作权声明:畅享网文章著作权分属畅享网、网友和合作伙伴,部分非原创文章作者信息可能有所缺失,如需补充或修改请与我们联系,工作人员会在1个工作日内配合处理。
最新专题
流动存储 为大数据而生

伴随信息技术的突飞猛进,更大量级的非结构化数据与结构化数据构成的大数据成为企业级存储所面临的最大挑战:一方..

磁盘阵列及虚拟化存储

利用数组方式来作磁盘组,配合数据分散排列的设计,提升数据的安全性。虚拟化存储,对存储硬件资源进行抽象化表现。

    畅享
    首页
    返回
    顶部
    ×
      信息化规划
      IT总包
      供应商选型
      IT监理
      开发维护外包
      评估维权
    客服电话
    400-698-9918